PDTD123ET,215

PDTD123ET,215 datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

PDTD123ET,215
Производитель

NXP Semiconductors
Описание

NXP Semiconductors PDTD123ET,215 Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 50 V Configuration: Single Emitter- Base Voltage Vebo: 10 V ID_COMPONENTS: 1947756 Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 65 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23 Peak Dc Collector Current: 500 mA Power Dissipation: 250 mW Transistor Polarity: NPN Typical Input Resistor: 2.2 KOhms Typical Resistor Ratio: 1 Product Category: Transistors Switching - Resistor Biased RoHS: yes DC Collector/Base Gain hfe Min: 40 Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V Peak DC Collector Current: 500 mA Emitter- Base Voltage VEBO: 10 V Factory Pack Quantity: 3000 Part # Aliases: PDTD123ET T/R Other Names: 934058977215::PDTD123ET T/R::PDTD123ET T/R
Количество страниц

10 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

105,75 KB

PDTD123ET,215 datasheet скачать

PDTD123ET,215 datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>Zhejiang Geely Holding Group внедрила SiC MOSFET-чипы 4-го поколения от компании ROHM Co. Ltd в тяговые инверторы трёх моделей бренда электромобилей ZEEKR. Эти силовые модули на базе карбида кремния (SiC), которые являются ключевыми для улучшения производительности электромобилей, с 2023 года находятся в серийном производстве. Производятся они компанией Haimosic (Shanghai) Co. Ltd — совместным предприятием ROHM и Zhenghai Group Co. Ltd — и поставляются Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co. Ltd, основному поставщику электромобилей Geely.</p>

Geely интегрирует SiC MOSFET-чипы 4-го поколения ROHM в электромобили ZEEKR

03.10.2024

<p>По мере того как вычисления, связанные с ИИ, продолжают развиваться как в облачных, так и в периферийных средах, спрос на более быстрые и ёмкие решения для хранения данных значительно вырастет в ближайшие два десятилетия. Технология NAND FLASH, являющаяся основой экономичных и высокоплотных систем хранения данных, уже революционизировала множество отраслей, начиная от USB-накопителей и заканчивая крупномасштабными серверами. Промышленность перешла от 2D NAND к 3D NAND, которая стала доминирующей технологией памяти с момента её коммерческого дебюта в 2013-2014 годах.</p>

Новые технологии оборудования станут ключевыми для масштабирования до 1000-слойной 3D NAND в эпоху ИИ

02.10.2024

<p>Компания Silicon Laboratories Inc. (Silicon Labs) представила новую функцию Bluetooth Channel Sounding на платформе xG24, которая значительно улучшает точность и безопасность определения расстояний для устройств с Bluetooth Low Energy (LE). Эта инновационная технология позволяет выполнять более точные и безопасные измерения расстояний между подключенными устройствами, что открывает широкие возможности для различных приложений, связанных с близостью и локализацией.</p>

Silicon Labs улучшает точность и безопасность определения расстояния Bluetooth-устройств

01.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Экспресс доставка электронных компонентов - Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Экспресс доставка электронных компонентов

Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.